سامسونگ نخستین تراشه حافظه‌ای 4 گیگابایتی DDR3 مبتنی بر فناوری 20 نانومتری را برای دستگاه‌های موبایلی عرضه کرد.
پس از مدت‌ها گمانه‌زنی و شایعه‌پراکنی، سامسونگ سرانجام از نخستین تراشه حافظه‌ای ۴ گیگابایتی DDR۳ برای دستگاه‌های موبایلی رونمایی کرد و آن را "پیشرفته‌ترین حافظه موبایلی جهان" خواند. به گزارش ایتنا، محصول جدید سامسونگ مبتنی بر فناوری ۲۰ نانومتری ساخته شده است و به کارخانه‌های تولیدکننده گوشی و دستگاه‌های موبایلی امکان می‌دهد نسبت به فناوری ۲۵ نانومتری میزان بهره‌وری خود را تا ۳۰ درصد افزایش دهند. سامسونگ همچنین ادعا می‌کند که رم جدید قادر است میزان بهره‌وری کارخانه‌های الکترونیکی را نسبت به استاندارد تراشه‌های ۳۰ نانومتری DRAM تا دو برابر بیشتر کند. این حافظه رم ۴ گیگابایتی قادر است نسبت به مدل ۲۵ نانومتری ۲۵ درصد انرژی کمتری مصرف کند و جای کمتری را در دستگاه‌های الکترونیکی به خود اختصاص دهد.
"یونگ-هیون جون"(Young-Hyun Jun) مدیر مرکز بازاریابی و فروش حافظه‌های سامسونگ گفت: «حافظه DDR3 جدید سامسونگ مبتنی بر فناوری ۲۰ نانومتری که انرژی بسیار کمی مصرف می‌کند، به سرعت از طریق تولیدکنندگان محصولات الکترونیکی در نسل جدید رایانه‌های شخصی و دستگاه‌های موبایلی عرضه می‌شود.» او توضیح داد که نسل آتی حافظه‌های DRAM و راهکارهای حافظه‌ای سبز سامسونگ نسبت به تمام محصولات موجود در بازار سریع‌تر و کم‌مصرف‌تر ساخته شده است. شرکت سامسونگ چندی پیش از نخستین حافظه DDR4 خود برای دستگاه‌ها و محصولات سازمانی رونمایی کرد و توضیح داد که سرعت این محصول نسبت به حافظه‌های DDR3 دو برابر افزایش یافته و هزینه استفاده از آن هم کمتر شده است. شرکت تحقیقاتی گارتنر نیز به تازگی در گزارش خود اعلام کرد که ارزش بازار جهانی حافظه‌های DRAM در سال ۲۰۱۴ میلادی به ۳۷.۹ میلیارد دلار می‌رسد که این رقم رشد ۲.۳ میلیارد دلاری نسبت به سال قبل را نشان می‌دهد.
