یک مجموعه آمریکایی / ژاپنی مشغول کار روی نسل جدیدی از حافظه‌ها و پیداکردن جایگزینی برای حافظه‌های DRAM هستند.
به گزارش ICTPRESS ، حدود ۲۰ شرکت و مرکز تحقیقاتی مرتبط با ساخت حافظه مشغول کار روی این پروژه هستند که هدف آن توسعه نسل جدیدی از حافظه‌ها با عنوان magnetoresistive random access memory یا MRAM هستند. در میان این گروه شرکت‌هایی چون Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi و غول آمریکایی Micron Technology دیده می‌شوند. این شرکت‌ها از فوریه سال آینده نتایج تحقیقاتی خود را به همراه محققان خود در دانشگاه Tohoku در شمال ژاپن با یکدیگر در میان می‌گذارند. در حافظه‌های MRAM دیتا به صورت مغناطیسی ذخیره می‌شود و این جایگزین حافظه‌های امروزی ( DRAM یا Dynamic random-access memory ) است که دیتا را به صورت الکتریکی و به شکل تصادفی در یک خازن جداگانه ذخیره می‌کند. حافظه‌های جدید مصرف انرژی را به یک سوم تقلیل می‌دهند و ظرفیت و سرعت آن‌ها ده برابر حافظه‌های DRAM است. البته همه اینها فعلا به صورت تئوری است ولی در صورت عملی شدن قطعا تحول قابل توجهی در حافظه‌ّای مورد نیاز تبلت‌ها و موبایل‌ها خواهند بود. گفته می‌شود تجاری سازی این حافظه‌ها در حدود سال ۲۰۱۸ صورت خواهد گرفت. البته شرکت Everspin Technologyis هم اکنون گونه‌ای از حافظه‌های MRAM را تولید می‌کند.
